全球首颗！德氪微发布超高耐压毫米波隔离驱动芯片DKV56系列

发布时间：

2025-10-22 00:00

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今日，德氪微电子正式发布全球首颗超高耐压毫米波隔离驱动芯片——DKV56系列。作为新一代高性能隔离式IGBT、MOSFET、SiC栅极驱动芯片，DKV56系列集成德氪微MillConnex?毫米波无线隔离技术，在“高耐压、高CMTI、高集成、低延时”四个关键指标实现突破，为AI数据中心、工业自企业动态

今日，德氪微电子正式发布全球首颗超高耐压毫米波隔离驱动芯片——DKV56系列。作为新一代高性能隔离式IGBT、MOSFET、SiC栅极驱动芯片，DKV56系列集成德氪微MillConnex®毫米波无线隔离技术，在“高耐压、高CMTI、高集成、低延时”四个关键指标实现突破，为AI数据中心、工业自动化、新能源与储能系统、新能源汽车、电力电子及高性能电机控制等领域带来更安全、更高效的电源系统解决方案。目前，该芯片已进入量产阶段。

相较传统的光耦、电容或磁变压器隔离方案，DKV56系列采用创新的毫米波隔离架构，在高速传输与高耐压之间实现了长期困扰业界的平衡。在连续三个月的高压可靠性测试中，DKV56系列在20kV隔离耐压与30kV浪涌电压的设备测试极限的环境下保持稳定运行零失效，其共模瞬态抗扰度（CMTI）>200kV/μs，进一步验证了芯片在极端工况下的稳定性。DKV56系列传播延时仅38ns，并集成有源米勒钳位、软关断（STO）及短路钳位（ASC）等多项安全机制，显著提升系统响应速度与整体可靠性。

DKV56系列支持5个档位的电流组合的分离输出能力，包括2.5A拉电流和5A灌电流，4A拉电流和6A灌电流，10A拉电流/灌电流，20A拉电流/灌电流以及30A拉电流/灌电流，可高效驱动SiC等高性能器件，为系统带来更高开关频率和更低能耗。芯片内置实时故障检测与复位功能（FLT/RST），能在过流、欠压等异常情况下即时保护功率器件，简化外围电路设计，降低工程开发难度与成本。DKV56系列可在-40℃到125℃下正常工作，正在申请VDE/UL/CQC安规认证中。凭借这些特性，DKV56系列为功率半导体应用带来了更高的集成度与更优的系统性能。

据Yole Intelligence与Omdia最新报告，全球功率半导体市场规模已超过300亿美元，预计到2028年将保持8–10%的年复合增长率（CAGR），其中SiC与GaN驱动芯片增长最为迅速。顺应高频化、模块化的行业趋势，德氪微以毫米波无线隔离技术为核心的创新架构，正推动功率器件驱动系统进入全新阶段，为行业提供全新的技术路径。

2025年以来，德氪微持续完善毫米波无线隔离系列产品布局。9月，德氪微正式发布全球首颗基于毫米波超短距离通信的数字隔离芯片。隔离通信速率在超万伏耐压下，无损传输高达5Gbps，掀起隔离通信的又一次“技术革命”。

来源|德氪微电子

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